Description

○ 결정에 X-선을 조사하여 회절방향과 회절강도를 측정하는 장비로서 X-선 회절 data로부터 물질을 이루는 격자정보(구조,크기 등) 및 물질/상 정보 등을 알아낼수 있음.
○시료 홀더 주위를 발열체(고온)으로 온도를 제어하면서 원하는 온도 구간별로 X-선 회절 peak를 측정하는 장비
- 주의점 : 측정온도 구간 내 시료의 물리적 변화(용해, 기화)가 있는 경우 측정 불가함. (측정 구간 내 물질 안정성은 DSC 또는 TGA 분석결과로 혹인 필수)
○ 시료준비
- 분말 : 압분체(5㎛ 또는 325 mesh 이하)로 약 0.3g 준비(아주 소량인 경우, ZBH(Zero Background Holder)을 이용하여 측정 가능, 단 시료 양이 적으면 data 강도가 낮아짐으로 유의)​
- 판상 : 가로세로 1cm ~ 2cm 크기 / 두께 10mm 이하로 준비(윗면과 바닥 모두 이물질 없는 깨끗한 상태로 준비​, 금속시편은 표면 polishing)

​High temperature X-Ray Diffraction
* 온도범위 : 상온 ~ 약 1300 ℃
시료 및 측정분위기(vacuum, gas 등)에 따라 승온 가능 범위가 다름으로 담당자와 상의 요망
(예: Si wafer 사용 시료인 경우 650 ℃까지 승온 가능, 700C 이상에서 Pt 홀더와 반응)
* 분위기조절 : 진공 상태 / N2, He gas
* 시료형태 : 분말(1g 정도) 및 판상 (10* 10* 0.1 mm)

○ X-ray generator : Max. power : 9kW
○ Incident K-alpha
- X-ray wavelength : Cu K-alpha
○ Detectors : 2D detector (Hypix-3000)
○ High precision goniometer
- Geometry : Vertical θ/θ geometry with horizontal sample mounting
- Minimum step size : 0.0001° or smaller
- Goniometer radius：300mm
○ Attachment
- High Temperature attachment
- Chi-Phi attachment
- 2D Transmission SAXS/WAXS stage