보유장비

Hitachi NX2000 FIB | 이온집속빔

Hitachi NX2000 FIB
보유장비 관련 정보
연구실/분야
모델명 NX2000
제조사 Hitachi
담당자 김민재
연락처 052-217-4064 / mjkim@unist.ac.kr
예약 가능여부 가능
예약단위 2 1일최대예약시간 6
예약Open(~일 전) 14 예약취소불가(~일 전) 2
장비위치 108동 102호
  • Description

    분해능 4 nm @ 30 kV, 60 nm @ 2 kV
    가속전압 0.5~30 kV
    빔 전류 0.05 pA ~ 100 nA
    Stage X: 0 ~ 205 mm
    Y: 0 ~ 205 mm
    Z: 0 ~ 10 mm
    R: 0 ~ 360° Endless
    T: -5 ~ 60°

    Resolution 4 nm @ 30 kV, 60 nm @ 2 kV
    Accelerating voltage 0.5~30 kV
    Beam current 0.05 pA ~ 100 nA
    Stage X: 0 ~ 205 mm
    Y: 0 ~ 205 mm
    Z: 0 ~ 10 mm
    R: 0 ~ 360° Endless
    T: -5 ~ 60°

  • Specifications

    Resolution 4 nm @ 30 kV, 60 nm @ 2 kV

    Accelerating voltage 0.5~30 kV

    Beam current 0.05 pA ~ 100 nA

    Stage X: 0 ~ 205 mm

    Y: 0 ~ 205 mm

    Z: 0 ~ 10 mm

    R: 0 ~ 360° Endless

    T: -5 ~ 60°

  • Applications