보유장비

TEOS LPCVD | 테오스 저압화학기상증착기

TEOS LPCVD
보유장비 관련 정보
연구실/분야
모델명 VULCAN-V61RL
제조사 LEAD Engineering
담당자 강해라
연락처 052-217-4167 / haera@unist.ac.kr
예약 가능여부 가능
예약단위 4hr 1일최대예약시간 8hr
예약Open(~일 전) 2주전 예약취소불가(~일 전) 2hr
장비위치 108동 B101호 (Bldg. 108, Room B101)
  • Description

    Vertical type의 독립된 챔버로 TEOS gas를 열분해하여 기판 상에 확산, Si Substrate 격자구조를 변형 시키지 않고 SiO2 증착이 가능하고 굴곡이 있는 패턴에서는 Conformal 할 수 있음. 낮은 Dielectric constant SiO2 박막 형성이 가능함.

    It is possible to thermally decompose TEOS gas into a vertical type independent chamber and diffuse it on the substrate, and SiO2 deposition is possible without deforming the Si Substrate lattice structure, and it can be deposition conformally.

  • Specifications

    • Vertical furnace type

    • Wafer size : 6 inch silicon wafer

    • Process gas : TEOS

    • Process temp : 600 ~ 700 °C

    • Thickness uniformity : less than ± 3 % within wafer, wafer to wafer

  • Applications