Dielectric RIE | 건식 식각장치
| 연구실/분야 | |||
|---|---|---|---|
| 모델명 | Labstar | ||
| 제조사 | TTL | ||
| 담당자 | 김강오 | ||
| 연락처 | 052-217-4182 / ko8809@unist.ac.kr | ||
| 예약 가능여부 | 가능 | ||
| 예약단위 | 1hr | 1일최대예약시간 | 1hr |
| 예약Open(~일 전) | 2주전 | 예약취소불가(~일 전) | 2hr |
| 장비위치 | 108동 B101호 (Bldg. 108, Room B101) | ||
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Description
Reactive ion etcher forms fine patterns by dry etching placing wafer inside the process module and generating plasma.
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Specifications
• SiO2 etch
- process gases : CF4, CHF3, Ar, O2
- etch rate : > 35 nm/min
- uniformity : ± 5 % (200 mm diameter)
- selectivity : SiO2 : resist = 3 ~ 5 : 1
• SiN etch
- process gases : CF4, Ar, O2
- etch rate : > 50 nm/min
- uniformity : ± 5 % (200 mm diameter)
- selectivity : 1.5 ~ 3 : 1
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Applications
• Si / SiO2 / Si3N4 dry etching