보유장비

Dielectric ICP-RIE | 유도결합 플라즈마 산화막 건식 식각기

Dielectric ICP-RIE
보유장비 관련 정보
연구실/분야
모델명 FABstar
제조사 TTL
담당자 김강오
연락처 052-217-4182 / ko8809@unist.ac.kr
예약 가능여부 가능
예약단위 1Hr 1일최대예약시간 3Hr
예약Open(~일 전) 15Days 예약취소불가(~일 전) 1Hr
장비위치 108동 B101호 (Bldg. 108, Room B101)
  • Description

    유도결합 플라즈마와 가스를 이용하여 SiO2, Si3N4, Si과 같은 절연재료를 식각하기 위해서 설계된 장치이다.

    This eqipment is designed for etching dielectric materials like SiO2, Si3N4 and Si.

  • Specifications

    -Process gas : CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3, Ar, O2, N2

    -Sample : Standard 150 mm (6 inch)

    • SiO2 etch

    -Etch rate > 2500 Å/min

    -Selectivity (PR) > 1.5:1

    -Uniformity > 97% (150mm)

    -Profile angle > 90 ± 5 degree

    • Si3N4

    -Etch rate >1500 Å/min

    -Selectivity (PR) >1.5:1

    -Uniformity >97% (150mm)

    -Profile angle > 90 ± 5 degree

  • Applications

    SiO2, Si3N4, Si, Polymer etch