Description

○ 자율사용전용 -> XRD 분석 의뢰는 HRPXRD 장비로 요청해 주세요.

○ 응용: 분말/박막 결정구조 분석

○ 측정범위: 5~120 도

○ 샘플량: 분말 0.5 mg 이상, Bulk & 극박막 1um 이하
○ 샘플준비
- 분말: 압분체(5㎛ 또는 325 mesh 이하)로 준비​
- 판상: 가로세로 1cm ~ 2cm 크기로 준비(윗면과 바닥 모두 이물질 없는 깨끗한 상태로 준비​, 금속시편은 표면 polishing)

○ 시료 홀더 주위를 발열체(고온)으로 온도를 제어하면서 원하는 온도 구간별로 X-선 회절 peak를 측정하는 장비
- 주의점 : 측정온도 구간 내 시료의 물리적 변화(용해, 기화)가 있는 경우 측정 불가함. (측정 구간 내 물질 안정성은 DSC 또는 TGA 분석결과로 혹인 필수)
- 온도범위: 상온 ~ 약 1300 ℃
시료 및 측정분위기(vacuum, gas 등)에 따라 승온 가능 범위가 다름으로 담당자와 상의 요망
(예: Si wafer 사용 시료인 경우 650 ℃까지 승온 가능, 700C 이상에서 Pt 홀더와 반응)
- 분위기조절 : 진공 상태 / N2, He gas
- 시료형태: 분말(1g 정도) 및 판상 (10* 10* 0.1 mm)

○ For self-use only -> Please request XRD analysis using HRPXRD

○ Application: Crystal structure analysis powder or thin film

○ Measurement range: 5~120 degrees

○ Sample amount: Powder 0.5 mg or more, Bulk & ultra-thin film 1 um or less
○ Sample preparation
- Powder: Prepare as a press(5㎛ or 325 mesh or less)
- Plate: Prepare in a size of 1cm to 2cm in width and length(Dust free, metal need surface polishing)