TEOS LPCVD | 테오스 저압화학기상증착기
| 연구실/분야 | |||
|---|---|---|---|
| 모델명 | VULCAN-V61RL | ||
| 제조사 | LEAD Engineering | ||
| 담당자 | 강해라 | ||
| 연락처 | 052-217-4167 / haera@unist.ac.kr | ||
| 예약 가능여부 | 가능 | ||
| 예약단위 | 4hr | 1일최대예약시간 | 8hr |
| 예약Open(~일 전) | 2주전 | 예약취소불가(~일 전) | 2hr |
| 장비위치 | 108동 B101호 (Bldg. 108, Room B101) | ||
-
Description
Vertical type의 독립된 챔버로 TEOS gas를 열분해하여 기판 상에 확산, Si Substrate 격자구조를 변형 시키지 않고 SiO2 증착이 가능하고 굴곡이 있는 패턴에서는 Conformal 할 수 있음. 낮은 Dielectric constant SiO2 박막 형성이 가능함.
It is possible to thermally decompose TEOS gas into a vertical type independent chamber and diffuse it on the substrate, and SiO2 deposition is possible without deforming the Si Substrate lattice structure, and it can be deposition conformally.
-
Specifications
• Vertical furnace type
• Wafer size : 6 inch silicon wafer
• Process gas : TEOS
• Process temp : 600 ~ 700 °C
• Thickness uniformity : less than ± 3 % within wafer, wafer to wafer
-
Applications