Dielectric ICP-RIE | 유도결합 플라즈마 산화막 건식 식각기
| 연구실/분야 | |||
|---|---|---|---|
| 모델명 | FABstar | ||
| 제조사 | TTL | ||
| 담당자 | 홍희송 | ||
| 연락처 | 052-217-4194 / armada@unist.ac.kr | ||
| 예약 가능여부 | 가능 | ||
| 예약단위 | 1Hr | 1일최대예약시간 | 3Hr |
| 예약Open(~일 전) | 15Days | 예약취소불가(~일 전) | 2Hr |
| 장비위치 | 108동 B101호 (Bldg. 108, Room B101) | ||
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Description
유도결합 플라즈마와 가스를 이용하여 SiO2, Si3N4, Si과 같은 절연재료를 식각하기 위해서 설계된 장치이다.
This eqipment is designed for etching dielectric materials like SiO2, Si3N4 and Si.
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Specifications
-Process gas : CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3, Ar, O2, N2
-Sample : Standard 150 mm (6 inch)
• SiO2 etch
-Etch rate > 2500 Å/min
-Selectivity (PR) > 1.5:1
-Uniformity > 97% (150mm)
-Profile angle > 90 ± 5 degree
• Si3N4
-Etch rate >1500 Å/min
-Selectivity (PR) >1.5:1
-Uniformity >97% (150mm)
-Profile angle > 90 ± 5 degree
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Applications
SiO2, Si3N4, Si, Polymer etch